Биполярный транзистор 2SA809

Характеристики транзистора 2SA809

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	150 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	120 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	700mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	150T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	50MHz
Ёмкость коллекторного перехода	6 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама