Биполярный транзистор 2SA835

Характеристики транзистора 2SA835

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	140 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	140 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	8 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	500mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	7.9W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	60/350
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	22MHz
Ёмкость коллекторного перехода	60 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO202

Справочник

Реклама