Биполярный транзистор 2SA855

Характеристики транзистора 2SA855

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	450T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	140MHz
Ёмкость коллекторного перехода	4.5 пФ
Предельная температура PN-перехода	125 °С
Корпус транзистора	TO18

Справочник

Реклама