Биполярный транзистор 2SA896-2

Характеристики транзистора 2SA896-2

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	200 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	175 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	750mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	57/225
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	70MHz
Ёмкость коллекторного перехода	4 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO92

Справочник

Реклама