Биполярный транзистор 2SAB34

Характеристики транзистора 2SAB34

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	150mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	85T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	800KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	125 °С
Корпус транзистора	TO7

Справочник

Реклама