Биполярный транзистор 2SB1119T

Характеристики транзистора 2SB1119T

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	9 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	1A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	750mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	200/400
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	180MHz
Ёмкость коллекторного перехода	25 пФ
Предельная температура PN-перехода	165 °С
Корпус транзистора	SP0

Справочник

Реклама