Биполярный транзистор 2SB1120F

Характеристики транзистора 2SB1120F

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	10 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	7 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	2.5A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	1W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	160/320
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	250MHz
Ёмкость коллекторного перехода	70 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	SP0

Справочник

Реклама