Биполярный транзистор 2SB1215S

Характеристики транзистора 2SB1215S

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	120 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	100 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	6 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	3A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	20W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	140/280
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	130MHz
Ёмкость коллекторного перехода	40 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO218

Справочник

Реклама