Биполярный транзистор 2SB1229R

Характеристики транзистора 2SB1229R

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	50 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	6 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	2A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	750mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	100/200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	150MHz
Ёмкость коллекторного перехода	22 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO92

Справочник

Реклама