Биполярный транзистор 2SB150

Характеристики транзистора 2SB150

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	105 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	50 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	40 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	40mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	50mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	35T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	200KHz
Ёмкость коллекторного перехода	20 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO1

Справочник

Реклама