Биполярный транзистор 2SB216A

Характеристики транзистора 2SB216A

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	2.5A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	20W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	100T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	250KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	75 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама