Биполярный транзистор 2SB22S

Характеристики транзистора 2SB22S

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	12 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	75mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	170mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	100MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	400KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	75 °С
Корпус транзистора	R57

Справочник

Реклама