Биполярный транзистор 2SB306

Характеристики транзистора 2SB306

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	105 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	50 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	20mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	75mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	400KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	75 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама