Биполярный транзистор 2SB309A

Характеристики транзистора 2SB309A

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	90 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	1 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	8A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	43W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50/125
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	500KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама