Биполярный транзистор 2SB313

Характеристики транзистора 2SB313

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	180 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	1 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	10A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	40W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	15/100
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	700KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама