Биполярный транзистор 2SB325

Характеристики транзистора 2SB325

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	120 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	100 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	50 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	600mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	1.8W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20/250
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	0
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	R57

Справочник

Реклама