Биполярный транзистор 2SB375

Характеристики транзистора 2SB375

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	150 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	120 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	1 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	9A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	30W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	25/250
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	800KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	75 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама