Биполярный транзистор 2SB405ST

Характеристики транзистора 2SB405ST

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	12 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	2A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	720mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	70MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	750KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO1

Справочник

Реклама