Биполярный транзистор 2SB414

Характеристики транзистора 2SB414

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	32 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	32 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	1 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	1.5A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	13W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	33/130
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	1MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO107

Справочник

Реклама