Биполярный транзистор 2SB415

Характеристики транзистора 2SB415

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	32 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	24 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	6 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	1A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	200mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	70T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	400KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO1

Справочник

Реклама