RadioLibs.ru

Биполярный транзистор 2SB502A

Характеристики транзистора 2SB502A

Структура pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 110 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 80 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база 10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 3A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом) 25W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 30/280
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 800KHz
Ёмкость коллекторного перехода 350 пФ
Предельная температура PN-перехода 150 °С
Корпус транзистора TO66
Copyright © 2013-2025 RadioLibs.ru