Биполярный транзистор 2SB504

Характеристики транзистора 2SB504

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	80 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	60 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	3A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	1W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	40/300
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	15MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	185 °С
Корпус транзистора	TO39

Справочник

Реклама