Биполярный транзистор 2SB525

Характеристики транзистора 2SB525

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	18 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	1A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	800mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	55/300
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	50MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	130 °С
Корпус транзистора	TO92

Справочник

Реклама