Биполярный транзистор 2SB530

Характеристики транзистора 2SB530

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	100 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	80 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	6 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	5A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	75W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	0
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама