Биполярный транзистор 2SB557S

Характеристики транзистора 2SB557S

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	120 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	120 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	8A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	80W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	80/140
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	4MHz
Ёмкость коллекторного перехода	500 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама