Биполярный транзистор 2SB564

Характеристики транзистора 2SB564

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	1A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	800mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	90/400
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	55MHz
Ёмкость коллекторного перехода	10 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	SP10

Справочник

Реклама