Биполярный транзистор 2SB619

Характеристики транзистора 2SB619

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	32 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	32 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	1.3A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	300mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	115T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	0
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	90 °С
Корпус транзистора	TO1

Справочник

Реклама