Биполярный транзистор 2SB636

Характеристики транзистора 2SB636

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	32 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	150mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	90T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	1MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO92

Справочник

Реклама