Биполярный транзистор 2SB643

Характеристики транзистора 2SB643

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	7 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	500mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	600mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	60/340
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	100MHz
Ёмкость коллекторного перехода	6 пФ
Предельная температура PN-перехода	135 °С
Корпус транзистора	SOT33

Справочник

Реклама