Биполярный транзистор 2SB648

Характеристики транзистора 2SB648

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	160 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	120 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	1W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	60/320
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	140MHz
Ёмкость коллекторного перехода	4.5 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO126

Справочник

Реклама