Биполярный транзистор 2SB681

Характеристики транзистора 2SB681

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	150 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	150 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	12A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	100W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	40/140
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	7MHz
Ёмкость коллекторного перехода	300 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама