Биполярный транзистор 2SB706

Характеристики транзистора 2SB706

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	180 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	160 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	10A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	120W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	80T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	7MHz
Ёмкость коллекторного перехода	450 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	XM20

Справочник

Реклама