Биполярный транзистор 2SB709

Характеристики транзистора 2SB709

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	200mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	90/650
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	40MHz
Ёмкость коллекторного перехода	2.7 пФ
Предельная температура PN-перехода	125 °С
Корпус транзистора	TO236

Справочник

Реклама