Биполярный транзистор 2SB721

Характеристики транзистора 2SB721

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	700mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	625mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	100MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	175MHz
Ёмкость коллекторного перехода	20 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO92

Справочник

Реклама