Биполярный транзистор 2SB736-BW1

Характеристики транзистора 2SB736-BW1

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	60 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	300mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	200mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	90/150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	50MHz
Ёмкость коллекторного перехода	13 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO236

Справочник

Реклама