Биполярный транзистор 2SB78

Характеристики транзистора 2SB78

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	12 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	2 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	70mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	100T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	0
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO1

Справочник

Реклама