Биполярный транзистор 2SB798

Характеристики транзистора 2SB798

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	30 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	1A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	2W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	200T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	55MHz
Ёмкость коллекторного перехода	36 пФ
Предельная температура PN-перехода	160 °С
Корпус транзистора	SP0

Справочник

Реклама