Биполярный транзистор 2SB80

Характеристики транзистора 2SB80

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	1A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	4W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	70T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	3MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	60 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама