Биполярный транзистор 2SB806-KQ

Характеристики транзистора 2SB806-KQ

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	120 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	120 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	700mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	2W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	135T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	35MHz
Ёмкость коллекторного перехода	17 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	SP0

Справочник

Реклама