Биполярный транзистор 2SB807

Характеристики транзистора 2SB807

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	150 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	120 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	1W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	90/450
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	100MHz
Ёмкость коллекторного перехода	4 пФ
Предельная температура PN-перехода	180 °С
Корпус транзистора	SP0

Справочник

Реклама