Биполярный транзистор 2SB815-B7

Характеристики транзистора 2SB815-B7

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	15 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	20mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	200mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	300/600
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	125MHz
Ёмкость коллекторного перехода	13 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO236

Справочник

Реклама