Биполярный транзистор 2SB831B

Характеристики транзистора 2SB831B

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	700mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	85T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	35MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	145 °С
Корпус транзистора	TO236

Справочник

Реклама