Биполярный транзистор 2SB835

Характеристики транзистора 2SB835

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	1A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	500mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	90/360
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	100MHz
Ёмкость коллекторного перехода	40 пФ
Предельная температура PN-перехода	135 °С
Корпус транзистора	SOT33

Справочник

Реклама