Биполярный транзистор 2SB841L

Характеристики транзистора 2SB841L

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	180 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	160 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	1.5A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	20W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	100T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	70MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO126

Справочник

Реклама