Биполярный транзистор 2SB852-UA

Характеристики транзистора 2SB852-UA

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	40 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	20 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	300mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	500mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	3000T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	100MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	165 °С
Корпус транзистора	SOT33

Справочник

Реклама