Биполярный транзистор 2SB861

Характеристики транзистора 2SB861

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	150 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	150 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	6 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	2A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	30W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50/300
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	0
Ёмкость коллекторного перехода	30 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO220

Справочник

Реклама