Биполярный транзистор 2SB863-O

Характеристики транзистора 2SB863-O

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	140 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	10A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	100W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	60/160
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	15MHz
Ёмкость коллекторного перехода	100 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO218

Справочник

Реклама