Биполярный транзистор 2SB887

Характеристики транзистора 2SB887

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	110 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	90 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	10A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	70W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	2K/5K
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	20MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	180 °С
Корпус транзистора	TOP-3

Справочник

Реклама