Биполярный транзистор 2SB888

Характеристики транзистора 2SB888

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	80 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	50 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	700mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	600mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	3KMIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	170MHz
Ёмкость коллекторного перехода	16 пФ
Предельная температура PN-перехода	135 °С
Корпус транзистора	TO92

Справочник

Реклама