Биполярный транзистор 2SB889

Характеристики транзистора 2SB889

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	80 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	80 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	8 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	700mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	5W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50/300
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	50MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO126

Справочник

Реклама